BJT 스위치: 작은 전류로 큰 전류 켜기

NPN 트랜지스터는 베이스-이미터로 전류 Ib가 흐르면 컬렉터-이미터로 약 hFE × Ib의 전류를 흘릴 수 있습니다.

스위치로 쓰기

MCU 핀으로 100mA 릴레이를 켜는 로우사이드 스위치:

• hFE 최소 100이라면 필요한 Ib는 1mA. 확실히 포화시키려고 3~5배인 3~5mA를 흘립니다.
• Rb = (3.3V - 0.7V) / 3mA ≈ 870Ω → 1kΩ 근처를 씁니다.
• 포화되면 Vce(sat)는 약 0.1~0.3V라서 트랜지스터 발열이 작습니다.

체크리스트

• 베이스-이미터 사이에 10kΩ 정도의 풀다운을 달면 MCU가 리셋 중일 때 확실히 꺼집니다.
• 릴레이 같은 코일 부하에는 플라이백 다이오드를 답니다.
• 수 A 이상이면 베이스 전류가 너무 커져서 MOSFET이 더 적합합니다.

	BJT	MOSFET
구동	전류	전압
켜진 상태 손실	Vce(sat) × I	I² × Rds(on)
적합한 곳	작은 신호, 저가	큰 전류, 고속 스위칭